Discrete 600V XPT IGBTs

IXYS Discrete 600V XPT Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are highly rugged, low loss semiconductor devices that are easily configured in parallel. Developed using IXYS' extreme light punch through (XPT) design platform, these new devices feature excellent electrical characteristics which include low typical Vcesat, low typical current fall times, and low typical turn-off energy per pulse values.

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
数据表
815库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/170Amp CoPacked
数据表
167库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 170 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
数据表
370库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
数据表
300工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT C3-Class 600V/100 Amp
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 300
倍数： 30

Si TO-247AD Through Hole 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 100 A 600 W - 55 C + 150 C IXXH50N60 Tube