RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET是AEC-Q101合规汽车级MOSFET。这些MOSFET具有-40V至100V漏源电压范围、8个端子、高达69W功耗以及 ±12A 至 ±27A的连续漏极电流。RQ3xFRATCB功率MOSFET有N沟道和P沟道供选择。这些功率MOSFET采用小型3.3mmx3.3mm HSMT8AG封装。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常适用于高级辅助驾驶系统(ADAS)、信息娱乐、照明和车身。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive 3,674库存量
剪切带
¥17.289
¥8.3507
¥7.4241
¥5.8986
卷轴
¥5.0511
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
2,478预期 2026/12/1
剪切带
¥14.3962
¥6.9947
¥6.0455
¥4.746
¥4.52
卷轴
¥3.7064
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
3,000预期 2027/2/16
剪切带
¥14.0572
¥6.6557
¥5.9325
¥4.6669
卷轴
¥3.729
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape