Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM

Intelligent Memory Double Data Rate 4 (DDR4) DRAM contains higher module density, higher data transmission speeds, and lower voltage requirements than DDR3 devices. These devices support Data Bus Inversion (DBI), Write Cycle Redundancy Check (CRC), Dynamic ODT (On Die Termination), and Fine Granularity Refresh Mode. With high-speed data transfer up to 3200MHz, the Intelligent Memory DDR4 ICs are ideal for demanding applications in the industrial market.

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 408库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G08D4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 1Gx8, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 144库存量
209预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G08D4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 81库存量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IM8G16D4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 179库存量
418预期 2026/3/27
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C IM8G16D4 Tray