HV-D3 mSiC®功率模块

Microchip Technology HV-D3 mSiC®功率模块可简化并加速在AI超大规模数据中心和其他高压电源应用中采用固态变压器（SST）。这些高效功率模块将3.3kV碳化硅（SiC）mSiC MOSFET和Schottky二极管集成在行业62mm的封装中。这种设计结构可实现从中压电网直接向服务器机架高效供电。HV-D3模块具有低开关损耗、强大的散热性能和高功率密度，适用于要求苛刻的应用。Microchip Technology HV-D3 mSiC功率模块的典型应用包括电力传输和分配、工业电源、数据中心、海洋和航空航天、电动汽车（EV）基础设施以及可再生能源系统。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
数据表
3库存量
¥8,138.8363
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-D3
数据表
2库存量
¥6,645.2362
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-D3
数据表
3库存量
¥4,177.8247
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
数据表
2库存量
2在途量
¥8,138.8363
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-D3
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW