2N7002AK沟道沟槽式MOSFET

Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET是采用沟槽MOSFET技术的小型表面贴装(SMD)塑料封装的增强模式场效应晶体管(FET)。这些AEC-Q101合规器件可在宽-55°C至+175°C结温范围内提供逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A 7,040库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 428库存量
5,000预期 2027/4/2
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A 46库存量
15,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
50,288预期 2027/4/2
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape