2N7002AK沟道沟槽式MOSFET

Nexperia  2N7002AK N沟道沟槽式MOSFET是增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型表面贴装 (SMD) 塑料封装，采用沟槽式MOSFET技术。这些通过AEC-Q101认证的器件在-55°C至+175°C的宽结温范围内具有逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽式MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关以及开关电路。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .22A
数据表
4,845库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
数据表
2,954库存量
5,000预期 2026/8/20
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN1412-6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A
数据表
5,365库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .24A
数据表
23,288预期 2026/8/20
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET 2N7002AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
数据表
9,397预期 2027/2/1
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape