IXYx110N120A4 1200 V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT是优化实现了超低导通损耗VCE(sat) 的高增益IGBT，用于高达5kHz的开关频率。薄晶圆技术和改进的工艺实现了低栅极电荷QG，因此要求低栅极电流。高增益提高了浪涌电流能力，而VCE(sat) 的正向热系数简化了并联。Rth(j-c)的低热阻简化了与热相关的设计问题。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PLUS247 1200V 110A GENX4
数据表
207库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO264 1200V 110A GENX4
数据表
158库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT227 1200V 110A GENX4
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 275 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube