AFBR-S4N66P024M

Broadcom / Avago
630-AFBR-S4N66P024M
AFBR-S4N66P024M

制造商：

说明：
光电二极管 Silicon Photomultiplier - 光电二极管 2x1 SiPM Array PCB 6x6mm2 40um NUV-MT

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库存量: 26

库存：
26
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在途量:
200
预期 2026/8/7
200
预期 2026/8/14
生产周期：
15
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥622.1102 ¥622.11
¥526.8964 ¥5,268.96
¥477.1877 ¥47,718.77
500 报价

产品属性 属性值 选择属性
Broadcom Limited
产品种类: 光电二极管
RoHS:  
Avalanche Photodiodes
SMD/SMT
420 nm
8.6 uA
32.5 V
0 C
+ 60 C
AFBR
商标: Broadcom / Avago
湿度敏感性: Yes
产品类型: Photodiodes
工厂包装数量: 100
子类别: Optical Detectors & Sensors
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541490000
USHTS:
8541491050
TARIC:
8541490000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT光电倍增器阵列

Broadcom/Avago AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT硅光电倍增器 (SiPM) 阵列设计用于单光子的超灵敏精密测量。AFBR-S4N66P024M提供两个6mm × 6mm SiPM，采用2×1元件阵列，脚距为7mm。借助平铺多个AFBR-S4N66P024M阵列，可使7mm脚距的SiPM覆盖更大面积。

硅光电倍增管 (SiPM)

Broadcom硅光电倍增管（SiPM）能够探测光线，甚至可检测至单光子级别。 此系列Broadcom硅雪崩光电二极管阵列以盖革模式运行，通过并联方式构成SiPM。 根据光源和应用的不同，可以组合成百上千块。每个SPAD均集成有一个串联电阻器，为下一个进入的光子压制雪崩并重置二极管。该SiPM的信号输出是与撞击传感器的光子数量成比例的电流，因此具有极高的增益和极快的响应时间。这款SiPM非常适合需要进行弱光检测和精确时序信息的领域，例如基于闪烁体的探测器和飞行时间系统。 

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