DRV5055/DRV5055-Q1线性霍尔效应传感器

Texas Instruments DRV5055/DRV5055-Q1比例式线性霍尔效应传感器成比例地响应磁通密度。该器件可用于精确的位置检测,应用十分广泛。DRV5055/DRV5055-Q1采用3.3V或5V电源。没有磁场时,模拟输出驱动一半VCC。输出与施加的磁通密度保持线性变化,四个灵敏度选项可根据所需的感应范围实现最大输出电压摆幅。南北磁极生产独特电压。感应垂直封装顶部的磁通量,两种封装选项提供不同感应方向。该器件采用比例式架构,可消除外部模拟数字转换器 (ADC) 使用相同VCC作为其参考时来自VCC容差的错误。另外,DRV5055/DRV5055-Q1可抵消磁体漂移的磁体温度补偿,从而在–40°C至125°C的宽温度范围内实现线性性能。DRV5055-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

结果: 30
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 工作电源电流 最大输出电流 工作点最小值/最大值 工作电源电压 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 系列 资格 封装
Texas Instruments 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Automotive ratiomet ric linear hall effe A 595-DRV5055A4ELPGMQ1 569库存量
最低: 1
倍数: 1

Ratiometric Linear 6 mA 1 mA +/- 169 mT, +/- 176 mT 3.3 V, 5 V - 40 C + 150 C Through Hole TO-92-3 DRV5055 AEC-Q100 Bulk
Texas Instruments 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric linear h all effect sensor w A 595-DRV5055A4QLPGM 344库存量
最低: 1
倍数: 1

Ratiometric Linear 6 mA 1 mA +/- 169 mT, +/- 176 mT 3.3 V, 5 V - 40 C + 125 C Through Hole TO-92-3 DRV5055 Bulk
Texas Instruments 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric linear h all effect sensor w A 595-DRV5055A4QLPG 2,118库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Ratiometric Linear 6 mA 1 mA +/- 169 mT, +/- 176 mT 3.3 V, 5 V - 40 C + 125 C Through Hole TO-92-3 DRV5055 Ammo Pack
Texas Instruments 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Ratiometric linear h all effect sensor w A 595-DRV5055A3QDBZT
8,947预期 2026/2/16
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Ratiometric Linear 6 mA 1 mA +/- 85 mT, +/- 88 mT 3.3 V, 5 V - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT-23-3 DRV5055 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Automotive ratiomet ric linear hall effe A 595-DRV5055A4ELPGQ1 交货期 6 周
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Ratiometric Linear 6 mA 1 mA +/- 169 mT, +/- 176 mT 3.3 V, 5 V - 40 C + 150 C Through Hole TO-92-3 DRV5055 AEC-Q100 Ammo Pack