100 V至150 V StrongIRFET™功率MOSFET

英飞凌100V至150V StrongIRFET™功率MOSFET经过优化,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流能力。在100V时,此系列器件可提供低至1.3mΩ的RDS(on) 和高达209A的电流处理能力。这些特性可降低导通损耗并提高功率密度,同时仍可适应传统设计。StrongIRFET功率MOSFET非常适合用于需要高性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合涵盖了广泛的应用,包括DC电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 1,327库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 2,556库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4,251库存量
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,864库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 895库存量
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC 3,059库存量
400预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 412库存量
3,200在途量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
754预期 2026/2/24
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 无库存交货期 22 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube