LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1理想二极管控制器

Texas Instruments LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V宽输入电源支持保护和控制12 V和24 V汽车电池供电ECU。此系列控制器可承受低至–65V的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个MOSFET来代替SCHOTTKY二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用第二个MOSFET的情况下，该设备允许在发生过流和过压事件时使用HGATE控制将负载断开（开/关控制）。LM749x0-Q1/LM749x0H-Q1控制器具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。此系列设备还具有可调过压切断保护功能。理想的控制器还具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。Texas Instruments LM749x0-Q1的最大额定电压为65V。