NVMFS5832NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5832NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5832NLWFT1G-UM
Price: 16.25 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-FS5832NLWFT1G-UM

制造商编号：

NVMFS5832NLWFT1G-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVMFS5832NLWFT1G-UM 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	120 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	51 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	127 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	21 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	24 ns
系列:	NVMFS5832NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	27 ns
典型接通延迟时间:	13 ns

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数据表

NVMFS5832NLWFT1G-UM 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMx和NVTx功率MOSFET

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了解详情

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