NVNJWS1K6N061LTAG

Name: onsemi NVNJWS1K6N061LTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-VNJWS1K6N061LTAG
Price: 6.59 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VNJWS1K6N061LTAG

制造商编号：

NVNJWS1K6N061LTAG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NVNJWS1K6N061LTAG 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	XDFNW-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	853 mA
Rds On-漏源导通电阻:	1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	900 pC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	2.617 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	32 ns
正向跨导 - 最小值:	0.48 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	34 ns
系列:	NVNJWS1K6N061L
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	22 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NVNJWS1K6N061LTAG 数据表 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVNJWS1K6N061L N 沟道 MOSFET

安森美 (onsemi) NVNJWS1K6N061L N沟道MOSFET具有低RDS_(on)和低栅极阈值，且集成ESD保护。该MOSFET的漏源电压为60V，栅源电压为±20V，脉冲漏极电流为6.47A。NVNJWS1K6N061L MOSFET通过AEC-Q101认证，支持PPAP，且为无铅产品。该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括低侧负载开关、DC-DC转换器(降压与升压电路)、OBC、电机控制、风扇泵和LED照明。