IRF150DM115XTMA1

Name: Infineon IRF150DM115XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150DM115XTMA1
Price: 35.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IRF150DM115XTMA1

制造商编号：

IRF150DM115XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET >100-150V

数据表:

IRF150DM115XTMA1 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WG-WDSON-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	11.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	33 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	78 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS DirectFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
下降时间:	14 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	4800
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	11 ns
零件号别名:	IRF150DM115 SP001511080

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Product Catalogs

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 墨西哥
组装原产国/地区:: 墨西哥
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET

英飞凌IRF150DM115 OptiMOS™ 5 150V MOSFET设计用于优化热设计，以实现高功率密度和效率。此MOSFET突破性降低了R_DS(on)（与SuperSO8中的替代产品相比降低达25%）和Q_rr，而且不影响FOM_gd 和FOM_OSS 。这样可有效减少设计工作量，同时优化系统效率。IRF150DM115 MOSFET采用带OptiMOS™ 5的DirectFET™封装。双面冷却封装具有低寄生电感和薄型设计，可实现高功率密度设计。这款OptiMOS 5 150V MOSFET适合用于针对光伏优化器、无绳电动工具和电机控制中的功率转换。潜在应用包括微型太阳能逆变器、同步整流和DC-DC转换器。

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库存量: 736

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生产周期：: 8 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥40.115	¥40.12
	¥20.7581	¥207.58
	¥18.8597	¥1,885.97
	¥16.1251	¥8,062.55
	¥15.5488	¥15,548.80
	¥14.3058	¥35,764.50
整卷卷轴（请按4800的倍数订购）
	¥14.3058	¥68,667.84

IRF150DM115XTMA1

制造商： Infineon Technologies

说明： MOSFET IFX FET >100-150V

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