RGA80Tx 1200V场截止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGA80Tx 1200V场截止沟槽型IGBT具有低开关和导通损耗。此系列IGBT的集电极-发射极电压额定值为1200V，集电极-发射极电流额定值为69A。ROHM Semiconductor RGA80Tx器件非常适合用于电动压缩机、汽车用高压加热器以及工业用逆变器。