结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
894库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
410库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
351库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
数据表
421库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V 30 V 105 A 468 W - 40 C + 175 C Tube