碳化硅MOSFET

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DMWSH120Hx 1200V N沟道功率MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N通道功率MOSFET是碳化硅MOSFET，设计用于最大限度地降低导通电阻并保持出色的开关性能。这些MOSFET具有低输入电容、高达100μA零栅极电压漏极电流、高达±250nA栅极-源极漏电流以及适用于电源应用的高BV_DSS 额定值。DMWSH120Hx MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，符合UL 94 V-0可燃性分类等级。这些功率MOSFET非常适合用于EV大功率直流-直流转换器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、交流-直流牵引逆变器和汽车电机驱动器。

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3 Diodes Incorporated 1: ¥267.6744 20库存量	制造商零件编号 DMWSH120H28SM3 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H28SM3	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	20库存量	¥267.6744 ¥180.3254 ¥164.7653	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4 Diodes Incorporated 1: ¥267.6744 17库存量	制造商零件编号 DMWSH120H28SM4 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	17库存量	¥267.6744 ¥180.3254 ¥167.0818	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H28SM4Q Diodes Incorporated 1: ¥316.3887 20库存量	制造商零件编号 DMWSH120H28SM4Q Mouser 零件编号 621-DMWSH120H28SM4Q	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	20库存量	¥316.3887 ¥218.203	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	173.7 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H43SM3 Diodes Incorporated 1: ¥159.556 31库存量	制造商零件编号 DMWSH120H43SM3 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H43SM3	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	31库存量	¥159.556 ¥96.0387 ¥90.1627	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	To-247-3	1 Channel	1.2 kV	72.7 A	43 mOhms	- 8 V, + 19 V	2.5 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	341 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated 1: ¥103.7227 78库存量	制造商零件编号 DMWSH120H90SM3 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H90SM3	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	78库存量	¥103.7227 ¥58.8165 ¥54.4321 ¥52.8501 ¥50.7031	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 170 C	246 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H90SM3Q Diodes Incorporated 1: ¥127.9612 60库存量	制造商零件编号 DMWSH120H90SM3Q Mouser 零件编号 621-DMWSH120H90SM3Q	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	60库存量	¥127.9612 ¥73.6986 ¥68.4893 ¥68.0712 ¥66.1728	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	41 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	50.9 nC	- 55 C	+ 175 C	246 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated 1: ¥103.7227 87库存量	制造商零件编号 DMWSH120H90SM4 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H90SM4	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	87库存量	¥103.7227 ¥58.8165 ¥58.7261 ¥52.8501 ¥47.3922	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated 1: ¥127.9612 60库存量	制造商零件编号 DMWSH120H90SM4Q Mouser 零件编号 621-DMWSH120H90SM4Q	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	60库存量	¥127.9612 ¥73.6986	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	97.5 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	51.1 nC	- 55 C	+ 175 C	235 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS DMWSH120H28SM3Q Diodes Incorporated 1: ¥319.6092 120工厂有库存	制造商零件编号 DMWSH120H28SM3Q Mouser 零件编号 621-DMWSH120H28SM3Q	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	120工厂有库存更多信息可用	¥319.6092 ¥209.1065	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	97.4 A	28.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	405 W	Enhancement
碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated 1: ¥85.1116 100工厂有库存	制造商零件编号 DMWSH120H90SCT7 Mouser 零件编号 621-DMWSH120H90SCT7	Diodes Incorporated	碳化硅MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS 了解更多关于Diodes Incorporated diodes inc dmwsh120hx 1200v power mosfets 的信息	数据表	100工厂有库存更多信息可用	¥85.1116 ¥55.9124 ¥47.234 ¥44.9966	最低： 1 倍数： 1	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	38.2 A	90 mOhms	- 4 V, + 15 V	3.5 V	54.6 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement

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