屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道器件，具有经过优化的开关性能。该MOSFET具有低反向恢复电荷 (Qrr) 和软体二极管，可实现出色的低噪声开关。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET具有高效率、较低开关尖峰和电磁干扰 (EMI)。它们提高了开关品质因数 (FOM)。 典型应用包括用于ATX/服务器/电信电源单元 (PSU) 的同步整流、电机驱动器、不间断电源 (UPS) 和微型太阳能逆变器。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 10.9 mohm, 74.3 A
数据表
747库存量
800预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 74.3 A 10.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 5.0 mohm, 139 A
数据表
447库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement PowerTrench Tube
onsemi NTP7D3N15MC
onsemi MOSFET MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 7.3 mohm, 101 A
数据表
583库存量
800预期 2026/5/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 101 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Tube