650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

结果: 28
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
GeneSiC Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 600
倍数： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 600
倍数： 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube