X3级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET是N沟道、增强模式、耐雪崩MOSFET。X3级器件具有高功率密度,易于安装,采用节省空间的封装。IXYS X3级MOSFET非常适合用于开关模式和谐振模式电源。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

IXYS MOSFET TO220 650V 34A N-CH X3CLASS 684库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 650V 34A N-CH X3CLASS 659库存量
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 54A N-CH X3CLASS 625库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 46A N-CH X3CLASS 292库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247 956库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247 500库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET TO247 650V 34A N-CH X3CLASS 148库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube