NVMFS024N06C单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFS024N06C单N沟道功率MOSFET具有紧凑的设计，占位面积较小 (5mm x 6mm)。安森美 (onsemi) NVMFS024N06C MOSFET非常适合空间利用率高的应用，并且RDS(on)值较低。该MOSFET可将导通损耗降至最低，确保电源管理效率高。此外，低QG和电容有助于最大限度地降低驱动器损耗。

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel DFN5(Pb-Free, Wettable Flanks)
数据表
1,326库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS
数据表
593库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel