OptiMOS™ 5功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5功率MOSFET的设计符合提升系统效率的需求，同时可降低系统成本。相较于其他备选器件，这些器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。该产品采用新型硅技术，经优化可达到并超过能源效率和功率密度要求。这些MOSFET的典型应用包括计算领域中的服务器、数据通信和客户端应用。它们还可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

结果: 85
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
5,000预期 2026/8/27
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down dual-side cooled package with best-price performance
数据表
6,000预期 2026/11/19
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 224 A 1.15 mOhms 16 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表
5,979预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms - 10 V, 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Dual-Side Cooled Drain-Down package
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 276 A 1.3 mOhms 20 V 3.3 V 90 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube