NVH4L060N065SC1

onsemi
863-NVH4L060N065SC1
NVH4L060N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 36

库存：
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生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于36的订购须受最低订购要求的限制。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥121.4298 ¥121.43
¥97.1122 ¥971.12
¥78.8288 ¥9,459.46
¥78.5011 ¥40,035.56
¥78.1621 ¥79,725.34
2,520 报价

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
70 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 11 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 14 ns
系列: NVH4L060N065SC1
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NVH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET 与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。安森美 (onsemi) NVH4L060N065SC1具有低导通电阻，紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。系统优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

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