EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块 采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V 漏-源电压下工作，具有低电感设计、低开关损耗和大电流密度。EasyPACK™模块由于集成了安装夹，因此安装牢固，且封装CTI >600。应用包括高频开关设备、DC/DC转换器和电动汽车的DC充电器。凭借Easy 2C系列，英飞凌让更多大功率设计使用SiC G2技术和先进的XT特性。该XT技术增强了坚固性并扩展了运行温度，而第二代SiC MOSFET技术改进了栅极氧化物可靠性并降低了导通电阻。

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Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
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34库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, 3-level module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
数据表
23库存量
24预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 1C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 13 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor and high current PressFIT contact technology
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies 分立半导体模块 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyPACK 2C CoolSiC MOSFET M2 .XT, fourpack module 1200 V, 8 mOhm with NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material 2.0 and high current PressFIT contact technology
数据表
18预期 2026/8/3
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit