EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块

英飞凌EasyPACK™ CoolSiC™沟槽MOSFET模块 采用PressFIT接触技术，并集成了负温度系数 (NTC) 温度传感器。这些模块在1200V 漏源电压下工作，具有低电感设计，开关损耗低，电流密度高。EasyPACK™模块采用坚固的安装结构，集成了安装夹，并采用CTI >600的封装。典型应用包括电动汽车的高频开关设备、DC/DC转换器和DC充电器。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
6库存量
15预期 2026/2/20
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 EASY
数据表
30在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray