NVMFWS002N10MCLT1G

onsemi
863-MFWS002N10MCLT1G
NVMFWS002N10MCLT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE

数据表:
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库存量: 1,529

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥37.4708 ¥37.47
¥24.7357 ¥247.36
¥17.4585 ¥1,745.85
¥14.8934 ¥7,446.70
¥14.5544 ¥14,554.40
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥13.899 ¥20,848.50

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
100 V
177 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
97 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 105 ns
正向跨导 - 最小值: 200 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: NVMFWS002N10MC
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 250 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
韩国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFWS002N10MCL单N沟道功率MOSFET

安森美NVMFWS002N10MCL单N沟道功率MOSFET具有177A的连续漏极电流、10V时2.8mΩ的RDS(ON) 和100V的漏-源电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

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