SIHG080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHG080N60E-GE3
SIHG080N60E-GE3

制造商：

说明：
MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET

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¥27.9562 ¥279.56
¥26.8827 ¥2,688.27
¥23.8995 ¥11,949.75
¥18.532 ¥18,532.00

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247AC-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 31 ns
正向跨导 - 最小值: 4.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 96 ns
系列: SIHG E
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 31 ns
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

数据表

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHG080N60E E系列功率MOSFET

Vishay/Siliconix SiHG080N60E E系列功率MOSFET采用第四代E系列技术，降低了开关和导通损耗。SiHG080N60E功率MOSFET具有650V漏源电压63nC总栅极电荷，采用TO-247AC封装。SiHG080N60E MOSFET具有低品质因数 (FOM) Ron x Qg和低有效电容 (CO(er))。

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