T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低RDS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低QRR 和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。

结果: 6
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
数据表
5库存量
3,000预期 2026/10/6
最低： 1
倍数： 1
最大： 301
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V SG TOLL
数据表
1,820库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 129
: 2,000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
数据表
1,230库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 90
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE
数据表
1,445库存量
21,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 1,311
: 1,500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
数据表
1,500预期 2026/10/26
最低： 1
倍数： 1
最大： 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
数据表
1,380预期 2026/10/16
最低： 1
倍数： 1
最大： 150
: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape