T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低RDS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低QRR 和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, T10M, DFN5, 5x6, SO-8FL, 40 V, 1.8 mohm, 151 A40 V, 1.65 m, 154 A
数据表
772库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 1.65 mOhms 20 V 3.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, Logic Level, u8FL, 80V, 5.3mohm, 79 A
数据表
888库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT WSFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 79 A 5.3 mOhms 20 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 80 V, 1.1 m, 299 A
数据表
2,000预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT H-PSOF-8L N-Channel 1 Channel 80 V 299 A 1.1 mOhms 20 V 3.6 V 120 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, T10M, DFN5, STD Gate, SO-8FL 40 V, 4.0 mohm, 77 A
数据表
1,500预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.9 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO-8FL, 80 V, 4.5 mohm, 94 A
数据表
1,500预期 2026/3/24
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 4.5 mOhms 20 V 3.6 V 15 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate, SO8FL, 80 V, 6.2 mohm, 73 A
数据表
1,500预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 73 A 6.2 mOhms 20 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape