DMN3730UFB/4 30V N-Ch MOSFETs

Diodes Incorporated DMN3730UFB/4 30V N-Channel MOSFETs are designed to minimize on-state resistance (RDS(ON)) and conduction loss, and yet maintain superior switching performance. Diodes Inc DMN3730UFB/4 MOSFETs are ideal for high efficiency power management applications such as load switches, portable applications, and power management functions. 

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
数据表
2,043库存量
3,000预期 2026/3/30
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT X1-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
数据表
3,170库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT X2-DFN1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 730 mA 460 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 1.6 nC - 55 C + 150 C 690 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel