STDRIVEG611半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨，并且可以轻松由集成自举二极管供电。大电流能力、短传播延迟、出色的延迟匹配以及集成低压差稳压器使STDRIVEG611成为驱动高速GaN的理想选择。