REXFET-1 100V和150V功率MOSFET

Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V功率MOSFET采用分栅技术,可显著降低导通电阻(RDSON)和品质因数,非常适合大电流应用。这些设备采用TOLL(TO-无引线)、 TOLG(TO引线鸥翼封装)和TOLT(TO顶部冷却封装)封装,具有卓越的散热 性能和最大功率能力。此外,MOSFET采用可润湿侧翼封装,可实现出色的焊料性能。REXFET-1 MOSFET已通过AEC-Q100认证,支持PPAP,适用于汽车应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 通道模式 商标名 封装
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLT

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 1.9mohm TOLL

SmartBond Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.7 mOhms 4 V 80 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT

GaN SMD/SMT TOLT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL

GaN SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.9 mOhms 4 V 76 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel
Renesas Electronics MOSFET Ind. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg

GaN SMD/SMT SO8-FL N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.7 mOhms 4 V 43 nC Enhancement RB Reel