AFGY100/AFGY120T65SPD场终止沟槽型IGBT

安森美半导体AFGY100T65SPD和AFGY120T65SPD场终止型沟槽IGBT符合AEC-Q101标准，导通和开关损耗极低。借助这些特性，可在各种应用中实现高效率运行，具有出色的瞬态可靠性和低EMI。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE
数据表
1,771库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3LD Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 660 W - 55 C + 175 C AFGY100T65SPD Tube
onsemi AFGY120T65SPD
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/120A AND AUTO STEALTH DIODE
数据表
1,027库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 714 W - 55 C + 175 C AFGY120T65SPD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) FS3 IGBT 650V/120A AND STEALTH DIODE
数据表
417库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65SPD Tube