UMOS 11低压MOSFET

Toshiba UMOS 11低压MOSFET专为在紧凑封装中实现高能效和可靠开关性能而开发。UMOS 11系列具有低RDS(on)、Qoss和Qrr，且整体开关性能优异，因此非常适合DC-DC转换器和电机驱动器、服务器电源及其他开关电源等广泛的应用。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Toshiba MOSFET 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
数据表
3,052库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000
Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 288 A 1.4 mOhms 20 V 3.6 V 80 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 100 V, 0.0027 Ohma.10V, SOP Advance(N), U-MOS11-H
数据表
5,409库存量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 190 A 2.7 mOhms 20 V 4.3 V 52 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H
数据表

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 0.67 Ohms 20 V 2 V 88 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape