CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFET非常适合用于谐振大功率拓扑结构，采用高压超级结MOSFET技术。这些MOSFET内置快速体二极管，完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS应用包括服务器、电信和电动汽车充电站。

结果: 71
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
712库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
254库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
73库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
4,000预期 2027/2/4
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
500预期 2026/12/3
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
交货期 21 周
最低： 1
倍数： 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 750
倍数： 750
: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 21 周
最低： 1,700
倍数： 1,700
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 1,700
倍数： 1,700
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 750
倍数： 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 750
倍数： 750
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 39 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 19 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube