IKZ75N65EL5XKSA1

Name: Infineon IKZ75N65EL5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKZ75N65EL5XKSA1
Price: 60.68 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IKZ75N65EL5XKSA1

制造商编号：

IKZ75N65EL5XKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS

数据表:

IKZ75N65EL5XKSA1 数据表 (PDF)

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制造商:	Infineon
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-4
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.1 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	536 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	TRENCHSTOP 5 L5
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	240
子类别:	IGBTs
商标名:	TRENCHSTOP
零件号别名:	IKZ75N65EL5 SP001174456

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 德国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT处于开关频率范围的另一端，优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对Infineon L5进行了专门优化。L5还具有以下特性：针对30A IGBT的1.05V低VCE(sat)、无功功率模式下cosφ<1时开关损耗最低以及电气参数的热稳定性高。采用低速开关器件的1.05V V_CE(sat) TRENCHSTOP™ 5 L5可实现新的效率水平。