OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET具备业界领先的低RDS(on) 、改进的开关性能和出色的EMI表现,有助于实现卓越的效率、功率密度和可靠性。相较于前代OptiMOS 5,OptiMOS 6技术实现了显著提升,包括RDS(on) 降低高达41%、FOMg 降低20%,以及FOMgd 降低17%。此外,这些MOSFET具有高雪崩耐受性和+175°C最高结温,可确保在严苛环境下稳健、稳定地运行。英飞凌OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET提供多样化封装选择,旨在满足高低开关频率应用的严苛要求,提升系统可靠性并延长使用寿命。

结果: 12
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1,043库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 1,500库存量
1,000预期 2026/2/16
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package 4,054库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling 1,979库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package 4,004库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 150 V 50 A 15.6 mOhms 20 V 4 V 14.8 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 333库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT PG-TO263-7 N-Channel 1 Channel 150 V 146 A 4.6 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 998库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 139 A 4.8 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 277库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package 1,235库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package 232库存量
1,000预期 2026/3/5
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package 927库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
1,918预期 2026/5/28
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape