RGT20NL65GTL

ROHM Semiconductor
755-RGT20NL65GTL
RGT20NL65GTL

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥26.3064 ¥26.31
¥17.0404 ¥170.40
¥11.8311 ¥1,183.11
¥9.5937 ¥4,796.85
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥9.266 ¥9,266.00
2,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-263-3
SMD/SMT
Single
650 V
2.1 V
30 V
20 A
53 W
- 40 C
+ 175 C
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
零件号别名: RGT20NL65
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGT20NL65场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGT20NL65场终止沟槽型IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，非常适合用于一般逆变器、UPS、功率调节器和焊接应用。ROHM RGT20NL65场终止沟槽型IGBT的短路耐受时间为5μs。此外，该器件的指定栅极-发射极电压为±30V，集电极电流为20A（25°C时）。

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

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