NTMFS3D2N10MDT1G

onsemi
863-NTMFS3D2N10MDT1G
NTMFS3D2N10MDT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL

数据表:
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2,741
预期 2026/3/13
生产周期：
33
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥34.8266 ¥34.83
¥23.165 ¥231.65
¥19.436 ¥1,943.60
¥15.3002 ¥7,650.10
¥12.8255 ¥12,825.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥12.8255 ¥19,238.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
142 A
3.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
155 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS3D2N10MD
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMFS3D2N10MD N 通道 MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFS3D2N10MD N沟道MOSFET设计采用先进的PowerTrench® 工艺和屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻RDS(on)，从而最大限度地降低导通损耗，同时仍然保持卓越的开关性能。NTMFS3D2N10MD MOSFET具有低QG 和电容值，可以最大限度地降低驱动器损耗，此外还具有低QRR 和软恢复体二极管，以及可以提高轻负载效率的低QOSS 。典型应用包括隔离式直流-直流转换器中的一次侧开关、交流-直流适配器、直流-直流和交流-直流中的同步整流、BLDC电机、负载开关和太阳能逆变器。

PowerTrench技术

安森美 (onsemi) PowerTrench技术代表了PowerTrench技术的进步，特别是从T6到T10的转变标志着电力电子产品领域的突破。  由安森美 (onsemi) 开发的PowerTrench MOSFET可为各种应用提供增强的效率和性能。从T6/T8到T10的转变显著提高了导通电阻和开关性能，这对于节能设计至关重要。

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