NTJD5121N/NVJD5121N双N沟道功率MOSFET
安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N双N通道功率MOSFET具有低RDS (on)、栅极阈值和输入电容。安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N MOSFET具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,非常适合用于汽车应用。
安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N双N通道功率MOSFET具有低RDS (on)、栅极阈值和输入电容。安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N MOSFET具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,非常适合用于汽车应用。