NTJD5121N/NVJD5121N双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N双N通道功率MOSFET具有低RDS (on)、栅极阈值和输入电容。安森美半导体NTJD5121N/NVJD5121N MOSFET具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,非常适合用于汽车应用。

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 封装
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 192,593库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 19,798库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET NFET SC88D 60V 295mA 26,340库存量
12,000预期 2026/9/18
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH 30,211库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 60 V 295 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 900 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel