STGWA75H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA75H65DFB2
STGWA75H65DFB2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
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¥45.3243 ¥45.32
¥25.3911 ¥253.91
¥21.0067 ¥2,100.67
¥18.2834 ¥10,970.04

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
115 A
375 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6.100 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有沟槽栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级VCE(sat) 优化导通。STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT在75A IC时具有1.55V（典型值）低 VCE(sat)。

600-650V IGBT

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