CA3509M4 L-to-S Band Low Noise Amplifier ICs

CEL CA3509M4 L-to-S Band Amplifier ICs offer low noise and high gain in a small flat-lead 4-pin thin-type super mini mold package. The CA3509M4 ICs feature an on-chip bias supply circuit and an on-chip ESD protection diode. The device is ideal for global navigation satellite systems (GNSS), satellite radio antennas, and microwave communications.

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 NF—噪声系数 类型 安装风格 封装 / 箱体 技术 P1dB - 压缩点 OIP3 - 三阶截点 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 3,714库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL 射频放大器 LNA Pout 12dBm NF .4dB Typ Gn 17dB 199库存量
最低: 1
倍数: 1

1.575 GHz 3 V 15 mA 17 dB 0.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SMD-4 Si 12 dBm 4.5 dBm - 40 C + 85 C CA35 Bulk