NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFS015N10MCL单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。这些MOSFET具有低漏极－源极导通电阻 (R_{DS (on)})，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷 (Q_G)/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NVMFS015N10MCL MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。这些MOSFET采用小型5mm x 6mm DFN5扁平引线封装。典型应用包括电磁阀驱动器中的电池反接保护、电机控制中的电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）以及开关电源。