QPD2018D

Qorvo
772-QPD2018D
QPD2018D

制造商：

说明：
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 0.18 mm Pwr pHEMT

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库存量: 200

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¥79.7328 ¥39,866.40

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:  
pHEMT
GaAs
14 dB
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
Reel
商标: Qorvo
NF—噪声系数: 1 dB
产品类型: RF JFET Transistors
系列: QPD2018D
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片

Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。该工艺经过实践验证，在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。

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