汽车用40A和80A功率MOSFET

ROHM Semiconductor汽车用40A和80A功率MOSFET是N沟道和P沟道器件。 此系列MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低导通电阻，脉冲漏极电流为 ±80A/±160A，功耗高达142W。40A和80A功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，100%经雪崩测试。该系列功率MOSFET非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 30V 80A
数据表
2,476库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 40V 80A
数据表
2,500库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
数据表
2,488库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
数据表
1,859库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A
数据表
1,050库存量
3,000预期 2026/9/17
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel