40V TrenchT4 功率 MOSFET

IXYS 40V TrenchT4 功率 MOSFET 是易于安装的 N 通道增强型 MOSFET,采用国际标准封装。该 TrenchT4 具有 175°C 的工作温度、高电流处理能力、额定雪崩和较低的 RDS(on)。典型应用包括同步降压转换器、高电流开关电源、电池供电电动马达等。
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结果: 9
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET 无库存
最低: 1
倍数: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube