CSD25402Q3A NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments CSD25402Q3A NexFET™ 功率MOSFET是一款20V P沟道MOSFET，设计用于最大限度地降低功率转换负载管理应用中的损耗。Texas Instruments CSD25402Q3A采用SON 3.3mm × 3.3mm封装，具有出色的散热性能。典型应用包括直流－直流转换器、电池管理、负载开关和电池保护。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Texas Instruments MOSFET -0-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON mm x mm, 8.9 mOhm
数据表
62,322在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -20-V, P channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm
数据表
1,950在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel