CSD25402Q3A NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments CSD25402Q3A NexFET™ 功率MOSFET是一款20V P沟道MOSFET,设计用于最大限度地降低功率转换负载管理应用中的损耗。Texas Instruments CSD25402Q3A采用SON 3.3mm × 3.3mm封装,具有出色的散热性能。典型应用包括直流-直流转换器、电池管理、负载开关和电池保护。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Texas Instruments MOSFET P-CH Pwr MOSFET 13,498库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 8.9 mOhms - 12 V, 12 V 650 mV 7.5 nC - 55 C + 125 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET #NAME? 6,445库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 250

Si SMD/SMT SON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 76 A 300 mOhms - 12 V, 12 V 1.15 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel