组合场效应晶体管

安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管是一款革命性设备，在一个紧凑型封装中结合了低RDS(on) 安森美 (onsemi) SiC JFET与Si MOSFET。这些组合场效应晶体管专门设计用于诸如固态断路器、电池断开装置和浪涌保护等低频保护应用，允许用户访问 JFET栅极以优化设计。将Si MOSFET集成到这些安森美 (onsemi) 组合场效应晶体管 (FET) 中可确保解决方案处于常闭状态，与分立实现相比，可实现超过25%的尺寸减小。

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅源极击穿电压
Vgs=0时的漏-源电流
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi JFET UG4SC075005L8S
数据表
1,793库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
数据表
577库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
数据表
627库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
数据表
345库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
数据表
558库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube