NTH4L075N065SC1

Name: onsemi NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L075N065SC1
Price: 55.27 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTH4L075N065SC1

制造商编号：

NTH4L075N065SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:

NTH4L075N065SC1 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTH4L075N065SC1详情

库存量: 776

库存：: 776 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 17 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥62.4551	¥62.46
	¥44.6689	¥446.69
	¥42.9287	¥4,292.87
	¥41.2789	¥37,151.01
2,700	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	38 A
Rds On-漏源导通电阻:	85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.3 V
Qg-栅极电荷:	61 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	148 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	7 ns
正向跨导 - 最小值:	9 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	12 ns
系列:	NTH4L075N065SC1
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTH4L075N065SC1 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi) NTH4L075N065SC1 57mΩ碳化硅MOSFET采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi) NTH4L075N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有安森美 (onsemi) 碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合其标准。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。