SISS94DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SISS94DN-T1-GE3
SISS94DN-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET N-CHANNEL 200-V(D-S) PowerPAK 1212-8S

数据表:
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库存量: 15,162

库存：
15,162 可立即发货
生产周期：
31 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥12.656 ¥12.66
¥7.9778 ¥79.78
¥5.2997 ¥529.97
¥4.1471 ¥2,073.55
¥3.7855 ¥3,785.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.2996 ¥9,898.80
¥3.164 ¥18,984.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-1212-8SH-8
N-Channel
1 Channel
200 V
19.5 A
75 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
65.8 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: SISS
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 488.500 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SISS94DN ThunderFET® MOSFET

Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET是一款N沟道200VDS 器件，配备采用ThunderFET技术的TrenchFET® 。该ThunderFET® MOSFET优化了RDS(on)、QG、Qsw和Qoss的平衡。该器件100%通过了Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。该SISS94DN MOSFET采用PowerPAK 1212-8S封装，无铅、无卤 (SiSS94DN-T1-GE3)。该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，采用单一配置。典型应用包括一次侧开关、同步整流、直流/直流拓扑、照明、负载开关和电机驱动控制。

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

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