DMN3027x N通道MOSFET

Diodes Incorporated DMN3027x N通道MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻RDS(ON)，并保持卓越的开关性能。 这些MOSFET的工作温度范围为-55ºC至150ºC。 这些DMN3027x MOSFET非常适合用于高效电源管理应用。
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结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
数据表
12,000预期 2026/6/1
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel