S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices

Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR Flash Memory Devices are VIO VCC 2.7V to 3.6V flash non-volatile memory devices. These devices use 65nm MirrorBit technology. Designed using Eclipse™ architecture with a 512-byte page programming buffer. The 512-Mb S25FL512S FL-S NOR allows users to program up to 256 words (512 bytes) in one operation. This results in faster effective programming and erase than prior generation SPI programs or erase algorithms. The device connects to a host system via an SPI and supports traditional SPI single-bit serial input and output. Optional two-bit (Dual I/O or DIO) and four-bit (Quad I/O or QIO) serial commands. The S25FL512S FL-S NOR provides support for Double Data Rate read commands for SIO, DIO, and QIO that transfer addresses. 

结果: 127
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
电源电压-最小
电源电压-最大
有源读取电流（最大值）
接口类型
最大时钟频率
组织
数据总线宽度
定时类型
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 3,380
倍数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 3,380
倍数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 676
倍数： 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,400
倍数： 2,400

SMD/SMT S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,400
倍数： 2,400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512M FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 133 MHz 64 M x 8 Synchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 480
倍数： 480

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 3,380
倍数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 676
倍数： 676

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 512-MBIT CMOS 3.0 V 65NM FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 3,380
倍数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 1,450
倍数： 1,450
卷轴: 1,450

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Reel

Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 2,400
倍数： 2,400

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray

Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 235
倍数： 235

SMD/SMT SOIC-16 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 80 MHz 64 M x 8 8 bit Synchronous AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 3,380
倍数： 3,380

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies NOR闪存 STD SPI
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SMD/SMT BGA-24 S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA SPI 66 MHz Synchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 676
倍数： 676

S25FL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 90 mA Synchronous AEC-Q100 Tray