IXFxN60X X3级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS IXFxN60X X3级HiPerFET™功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有同类最佳的品质因数（导通电阻 x 栅极电荷）。这些特性可实现低导通和开关损耗。凭借低反向恢复电荷和时间，该体二极管能够在高速开关时消除所有剩余能量，避免器件出现故障，实现高效率。600V IXFxN60X X3级HiPerFET™功率MOSFET具有抗雪崩能力、出色的dv/dt性能，并可耐受寄生双极晶体管的电压尖峰和意外导通引起的器件故障。IXYS的这些坚固耐用的器件需要更少缓冲器，可用于硬开关和软开关电源转换器。