NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美 (onsemi) NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET是1200V M3S平面SiC MOSFET，优化用于快速开关应用。安森美NVBG022N120M3S采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。该系列在使用18V栅极驱动时具有最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。这些MOSFET的典型应用包括用于电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 的车载充电器 (OBC) 和DC/DC转换器。 

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
数据表
818库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 40.5 mOhms - 8 V, + 22 V 3.22 V 74.5 nC - 55 C + 175 C 297 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V
数据表
800预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 30 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 142 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement